陈拓 chentuo@ms.xab.ac.cn 2020/06/19-2020/06/22
1. 概述
在实际工作中我们经常用到较为精确的延时，比如在读取温度传感器DS18B20时。
ESP8266 Non-OS SDK的延时函数os_delay_us的最大值是65535us，我们可以通过循环来增加延时。
我们用来测量的样品是ESP8266-01S，测试仪器是广州致远的LA1016逻辑分析仪。
2. 毫秒级延时
- 测试代码
#include "gpio.h"
LOCAL void ICACHE_FLASH_ATTR delay_ms(u32 x)
{
for(;x>0;x--) {
os_delay_us(1000);
}
}
void user_init(void)
{
PIN_FUNC_SELECT(PERIPHS_IO_MUX_GPIO2_U,FUNC_GPIO2);
while(1) {
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);
delay_ms(1);
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);
delay_ms(1);
}
}
代码写在文件user_main.c的void user_init(void)函数中。
- 逻辑分析仪设置
- 测试
ESP8266先上电，在逻辑分析仪界面上点击“启动(单次)”按钮
查看波形，测量时间。
高电平延时：
一个周期延时：
可以看到1ms的延时很准确。
3. 微秒级延时
- 1us测试代码
while(1) {
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);
os_delay_us(1);
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);
os_delay_us(1);
}
- 逻辑分析仪设置
- 波形和时间测量
高电平延时：
低电平延时：
可以看到1us延时实测超过2us，而且高低电平延时有差异。
一个周期的测量：
- 10us测试代码
while(1) {
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 1);
os_delay_us(10);
GPIO_OUTPUT_SET(GPIO_ID_PIN(2), 0);
os_delay_us(10);
}- 10us波形和测量
高电平延时：
一个周期延时：
由此可以看出微秒延时误差大约是+1us~+2us。时间越短误差越大。
